`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Первое приближение к петагерцевой электронике

0 
 
Первое приближение к петагерцевой электронике

Арсенид галлия это важный для многих технологий узкозонный полупроводник, в котором возбуждение электронов с переходом между зонами валентности и проводимости даёт носители заряда, образующими электрический ток между электронными компонентами схем.

Помимо этих, так называемых междузонных переходов (inter-band), носители могут ускоряться и внутри отдельных зон при взаимодействии электронов с сильным электрическим полем лазерного света. До последнего времени было далеко не очевидно, какой из этих двух механизмов преобладает в отклике на короткие лазерные импульсы большой интенсивности, и как их взаимодействие влияет на ввод носителей в зону проводимости.

Фабиан Шлепфер (Fabian Schlaepfer) и его коллеги из группы Урсулы Келлер (Ursula Keller) кафедры физики Швейцарской высшей технической школы Цюриха (ETH Zurich) первыми изучили эти процессы на аттосекундном уровне, скомбинировав нестационарную абсорбционную спектроскопию с вычислениями от первого принципа.

Как сообщается в статье, размещённой этими исследователями во вчерашнем онлайновом выпуске Nature Physics, они установили, что внутризонное движение действительно играет важную роль, так как существенно увеличивает количество электронов, переходящих в возбужденном состоянии в зону проводимости.

Полученные результаты стали неожиданностью, поскольку само по себе внутризонное движение не может выводить носители заряда в зону проводимости. Они, таким образом, стали важным шагом в понимании аттосекундной (петагерцевый диапазон частот) динамики электронов, индуцированной светом в полупроводниках, и имеют практическое значение для будущих — сверхминиатюрных и высокопроизводительных — электронных и оптоэлектронных устройств.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT