`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Оксидная память привлекла внимание промышленников

0 
 
Оксидная память привлекла внимание промышленников

Устройство высокоемкой резистивной памяти (resistive random-access memory, RRAM) на основе оксида кремния впервые было создано в университете Райса пять лет назад. Теперь, благодаря изменениям, внесенным в технологический процесс, эту память следующего поколения стало возможным изготовлять при комнатной температуре на уже имеющемся оборудовании. Новое достижение сотрудников Rice, о котором рассказывается в публикации для Nano Letters, позволит ускорить выход RRAM в массовое производство.

«Эта память превосходит все остальные двухконтактные однополюсные резистивные запоминающие устройства практически в любом отношении, — свидетельствует глава университетской команды, профессор Джеймс Тур (James Tour). — А поскольку в ней используется оксид кремния, самый изученный материал на Земле, то лежащая в основе физика ясна и достаточно просто реализуется на существующих производственных мощностях».

Базовая концепция резистивной памяти состоит в том, что в диэлектрике, при достаточно высокой разности приложенных электрических потенциалов, образуются устойчивые каналы проводимости, которые можно разрушать и создавать повторно тысячи раз. Наличие и отсутствие таких пробоев в диэлектрике можно интерпретировать как «1» и «0» цифровых данных.

Работы по совершенствованию RRAM ведутся во всем мире. Ожидается, что эта, более высокоемкая и быстродействующая память полностью вытеснит с рынка флэш-устройства через несколько лет.

Производители уже анонсировали планы выпуска чипов RRAM размером с почтовую марку и емкостью 1 ТБ данных — в 50 раз больше, чем вмещает такой же по габаритам флэш-накопитель.

В новой работе показано, что применение пористой версии оксида кремния обеспечивает значительное улучшение многих аспектов RRAM. Прежде всего, пористый материал снижает до менее чем 2 вольт формирующее напряжение (при котором в оксиде кремния формируется проводящее волокно). Этот результат, который в 13 раз меньше прежнего лучшего достижения команды Rice, увеличивает конкурентоспособность ее разработки в сравнении с альтернативными резистивными технологиями.

Кроме того, пористый оксид позволяет устранить потребность в структуре с краями. «Это означает, что можно взять лист пористого оксида кремния и нанести на него электроды без разрезания на фрагменты, — пояснил Тур. — Когда мы только анонсировали применение оксида кремния в 2010 г., одним из первых вопросов от промышленников был, можем ли мы обойтись без создания краев. В то время сделать это не представлялось возможным, но переход к пористому оксиду наконец позволил нам решить проблему».

Также было продемонстрировано, что пористая структура увеличивает циклическую выносливость материала более, чем на два порядка, а емкость ячейки может быть доведена до девяти бит — наивысшее значение среди известных технологий оксидной памяти. Более того, оказалось, что мультибитовость пористой RRAM не ухудшается при повышении температуры.

Новые качества пористого оксида кремния вызвали всплеск интереса к нему среди производителей память, которые уже ведут переговоры с университетом по вопросам лицензирования этой технологии.

Дізнайтесь більше про мікро-ЦОД EcoStruxure висотою 6U

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Slack подает жалобу на Microsoft и требует антимонопольного расследования от ЕС

 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT