`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Intel начала продажу 2-го поколения модулей Optane DIMM

+22
голоса

Intel начала продажу 2-го поколения модулей Optane DIMM

Корпорация Intel анонсировала второе поколение DIMM-модулей памяти Optane Persistent Memory (PMEM), а также новые накопители SSD.

Серия PMEM 200 оптимизирована для работы с 4-сокетными системами на 3-м поколении Xeon (3rd Gen Intel Xeon Scalable), вышедшем одновременно с ней.

Линейка Optane PMEM 200 включает DIMM ёмкостью 128, 256 и 512 ГБ и производительностью до 8,1/3,15 ГБ/с для операций последовательного чтения/записи. Предшествовавшее поколение при тех же номиналах ёмкости было существенно, на 19/37% медленнее — 6,8/2,3 ГБ/с, соответственно. Прирост быстродействия в среднем на 25% это результат применения в PMEM 200 четырёхслойной технологии XPoint вместо двухслойной — в DIMM 1-го поколения.

Эксплуатационный ресурс зависит от ёмкости модулей: для 128 ГБ он составляет 292 записанных петабайт (PBW); для 256 ГБ — 497 PBW; для 512 ГБ — 410 PBW. Для сравнения, модуль первого поколения ёмкостью 256 ГБ рассчитан на запись 360 ПБ.

Intel начала продажу 2-го поколения модулей Optane DIMM

Intel заявила, что PMem 200 обеспечит до 4,5 ТБ памяти на сокет для нагрузок, интенсивно использующих данные (СУБД, базирующихся в памяти, плотная виртуализация, аналитика и высокопроизводительные вычисления).

Представленные твёрдотельные накопители D7-P5500 и P5600 формфактора U.2 ориентированы на применение в датацентрах. В них используются TLC-ячейки с 96-слойной 3D NAND и интерфейс NVMe с четырьмя шинами PCIe Gen 4. P5500 предполагает не более одной полной перезаписи диска в сутки (1DWPD), в то время как P5600 имеет рейтинг 3DWPD, что делает его подходящим для рабочих нагрузок с интенсивной записью.

Улучшенная износостойкость P5600 достигается дополнительным резервированием памяти, из-за чего доступная пользователю ёмкость этих накопителей несколько снижена: 1,6/3,2/6,4 ТБ против 1,92/3,84/7,68 ТБ у P5500.

Оба накопителя обеспечивают пиковую скорость последовательного чтения/записи 7/4,3 ГБ/с. В режиме произвольного чтения производительность у них достигает миллиона IOPS, а произвольной записи — 230 тыс. IOPS у P5500 и 260 тыс. IOPS у P5600.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

+22
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT