«Набирающий силу процесс перехода рынка на DDR3 мы встречаем ранним выходом DDR3 2 ГБ, изготовляемой с применением наиболее эффективного процесса производства DRAM, доступного сегодня,» - заявил Джим Эллиот (Jim Elliott), вице-президент Samsung Semiconductor по маркетингу памяти.
Миграция на 40-нанометровую норму обеспечит 60%-ное повышение эффективности по сравнению с технологией 50 нм. Вдобавок, семимесячное «окно» между созданием новой технологии и массовым производством DDR3 (c января по июль 2009 г.) поможет OEM-клиентам Samsung быстрее оптимизировать их системы следующего поколения.
Монолитные двухгигабитовые чипы поддерживают скорость обмена данными до 1,6 Гб/с про напряжении 1,35 В и являются энергоэффективным решением для приложений, требующих высокоплотной быстродействующей памяти.
Наряду с модулями RDIMM для серверов, размером 16, 8 и 4 ГБ, компания будет выпускать на базе нового чипа UDIMM (unregistered in-line memory modules) для десктопов и рабочих станций или SODIMM (small outline dual in-line memory modules) для ноутбуков емкостью до 4 ГБ.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +22 голоса |
|
