|
СПЕЦІАЛЬНІ ПАРТНЕРИ ПРОЕКТУ BEST CIOОпределение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях Человек годаКто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка. Продукт годаНаграды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары |
>TSMCНовость Самоорганизующиеся полимеры помогли создать КМОП-устройства с детализацией 20 нм8 декабря 2009 г., 9:35Semiconductor Research Corporation (SRC), Стэнфордский университет и TSMC сообщили об успешной разработке первых в индустрии полевых транзисторов и КМОП-инверторов с 20-нанометровыми контактными отверстиями, изготовленных методом полимерной литографии (diblock copolymer lithography).
Новость TSMC: спрос на микросхемы значительно вырос30 октября 2009 г., 19:25Компания TSMC объявила о значительном повышении спроса на микросхемы во всех основных отраслях и, как следствие, о получении самого большого дохода и прибыли в период с III кв. 2008 г.
Новость Крупнейший контрактный производитель электроники инвестирует в «зеленую» энергетику12 августа 2009 г., 15:00Корпорация Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) информировала, что ее советом директоров 11 августа утвержден план выделить 50 млн долл. для возможных инвестиций в область технологий солнечной энергетики. Кроме того одобрен план ассигнований примерно 1,12 млрд долл.
Новость NXP и TSMC разрабатывают одночиповую TV-платформу с использованием 45 нм норм10 июля 2009 г., 14:50Компании NXP Semiconductors и Taiwan Semiconductor Manufacturing Company объявили о сотрудничестве с целью выпуска первой в индустрии одночиповой 45-нанометровой платформы LCD TV, TV550.
Новость TSMC представила 28-нм технологическую платформу для производства 64Mб SRAM18 июня 2009 г., 17:05Крупнейший мировой контрактный производитель интегральных микросхем, тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о создании 28-нм техпроцесса с применением технологий металлических затворов с высоким коэффициентом диэлектрической составляющей (HKMG), где в качестве диэлектрика используется оксинитрид кремни
Новость TSMC готовится к внедрению 28-нанометрового процесса25 мая 2009 г., 15:12По информации DigiTimes, на конференции Design Automation Conference (DAC) в июле компания TSMC планирует представить Reference Flow 10.0 методологию разработки систем на чипе для технологического процесса с уровнем детализации 28 нм.
Новость TSMC квалифицировала технологии производства 0,18-микронной флеш-памяти1 апреля 2009 г., 17:20Фирма Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) представила семейство технологий для выпуска 0,18-микронной памяти embFlash (embedded flash), которые позволят расширить сферу её применения.
Новость Intel и TSMC подписали соглашение о сотрудничестве в области создания однокристальных систем3 марта 2009 г., 18:13Корпорация Intel и компания TSMC объявили о подписании соглашения о намерениях, предусматривающего совместное использование технологической платформы, инфраструктуры интеллектуальной собственности и решений на базе однокристальных систем (System-on-Chip, SoC).
Новость TSMC перейдет на уровень детализации 28 нм в начале 2010 г.1 октября 2008 г., 11:20Компания TSMC, являющаяся лидером в высококонкурентном секторе контрактного производства полупроводников, сообщила, что с начала 2010 г. на ее предприятиях будет внедрен технологический процесс с уровнем детализации 28 нм.
Новость Акции полупроводниковых компаний подешевели30 сентября 2008 г., 17:42Котировки полупроводниковых компаний вчера испытали резкий спад, что отразило общую биржевую реакцию на решение Белого Дома отвергнуть план выделения 700 млрд долл. на поддержку испытывающей кризис экономики США.
|
Останні обговорення
ТОП-новости
ТОП-блогиТОП-статьи |
||
