`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

TSMC представила 28-нм технологическую платформу для производства 64Mб SRAM

Крупнейший мировой контрактный производитель интегральных микросхем, тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о создании 28-нм техпроцесса с применением технологий металлических затворов с высоким коэффициентом диэлектрической составляющей (HKMG), где в качестве диэлектрика используется оксинитрид кремния (SiON). Разработка была представлена на проходящем в Киото (Япония) симпозиуме 2009 Symposia on VLSI Technology.

В докладе сообщается, что новый техпроцесс для 64Mб SRAM обеспечивает размер ячейки 0,127 мкм² и плотность затворов 3,9 млн на мм². За счет применения технологий деформации и оптимизации толщины слоя SiON удается достичь повышения скорости на 25–40% и снижения энергозатрат на 30–50% по сравнению с 45-нм процессом производства.

Компания TSMC планирует начать серийный выпуск микросхем по 28-нм техпроцессу уже в начале 2010 г.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Slack подает жалобу на Microsoft и требует антимонопольного расследования от ЕС

 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT