>Технологии

Используя новую технологию сотрудники MIT, Техасского университета в Остине и Национальной лаборатории в Окридже получили первые изображения индивидуальных атомов в поверхностном слое наночастиц.

Продолжая историю успешного сотрудничества в полупроводниковых технологиях с уровнями детализации 130 нм (2001 г.), 90 нм (2002, 2004 гг.), 65 нм (2005 г.) и 45 нм (2007 г.) Panasonic и Renesas Technology объявили о начале совместной работы над созданием «системы-на-чипе» (SoC), основанной на 32-нанометровом процессе.

Корпорация Broadcom направила иск в суд Южного округа штата Калифорния в Сан-Диего, добиваясь декларативного постановления о том, что продажи и лицензионные практики Qualcomm являются нарушением патентного права, ведут к "истощению" принадлежащих последней патентов, которые вдобавок не могут быть защищены на основании сущес

Недавно специальные группы IEEE приняли ряд решений, способствующих дальнейшему развитию технологии Ethernet.

Новый синефиолетовый лазер (длина волны 405 нм) имеет оптическую выходную мощность 450 мВт в импульсном и 200 мВт в непрерывном режиме. Расхождение лучей в вертикальной и горизонтальной плоскостях не превосходит 19° и 8,5°, соответственно.

В последнее время все чаще поднимается тема солнечной энергетики. Вот и на выставке Ceatec Japan было показано несколько интересных решений в этой области.

Специалистам компании TDK удалось в лабораторных условиях осуществить запись на магнитную пластину с плотностью 803 Гб на квадратный дюйм. Это достижение поможет продлить время рыночной жизни современной технологии записи-считывания жестких дисков.

Компания TSMC, являющаяся лидером в высококонкурентном секторе контрактного производства полупроводников, сообщила, что с начала 2010 г. на ее предприятиях будет внедрен технологический процесс с уровнем детализации 28 нм.

Компания ARM, разрабатывающая и продающая 32-битовые RISC-процессоры для использования в мобильных телефонах, медиаплеерах и прочих портативных устройствах, подписала договор о долговременном сотрудничестве с IBM. В соответствии с его условиями ARM займется созданием и лицензированием платформы для будущих систем-на-чипе (SoC).

Рабочая группа IEEE, которая находится на завершающей стадии подготовки беспроводного стандарта 100 Мб/с 802.11n, готова начать разработку стандарта 1 Гб/с WLAN. По сути это будет гигабитный Wi-Fi.