Samsung починає масове виробництво найтонших у галузі корпусів LPDDR5X DRAM

Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва найтонших у галузі корпусів LPDDR5X DRAM класу 12 нм, об'ємом 12 і 16 ГБ. Використовуючи свій великий досвід у сфері пакування мікросхем, Samsung може постачати надтонкі корпуси LPDDR5X DRAM, які можуть створювати додатковий простір усередині мобільних пристроїв, сприяючи поліпшенню повітряного потоку. Це полегшує тепловий контроль, що стає дедалі важливішим фактором, особливо для високопродуктивних застосунків із розширеними функціями, такими як штучний інтелект на пристрої.

"LPDDR5X DRAM від Samsung встановлює новий стандарт для високопродуктивних рішень у сфері штучного інтелекту, пропонуючи не тільки чудову продуктивність LPDDR, а й поліпшене теплове керування в ультракомпактному корпусі", - говорить Йонг-Чеол Бе (YongCheol Bae), виконавчий віцепрезидент із планування продуктів пам'яті компанії Samsung Electronics. "Ми прагнемо до постійних інновацій у тісній співпраці з нашими клієнтами, пропонуючи рішення, які відповідають майбутнім потребам ринку DRAM з низьким енергоспоживанням".
 
У нових корпусах LPDDR5X DRAM компанія Samsung пропонує найтоншу в галузі LPDDR DRAM класу 12 нм у 4-стековій структурі, зменшуючи товщину приблизно на 9% і покращуючи теплостійкість приблизно на 21,2%, порівнюючи з продуктами попереднього покоління.

Завдяки оптимізації технологій виготовлення друкованих плат і епоксидного формувального компаунда новий пакет LPDDR DRAM тонший за ніготь, що є найтоншим серед наявних LPDDR DRAM об'ємом 12 ГБ і вище. Оптимізований технологічний процес Samsung зі зворотним перекриттям також використовується для мінімізації висоти упаковки.

Samsung планує продовжувати розширювати ринок DRAM з низьким енергоспоживанням, поставляючи свою 0,65-мм LPDDR5X DRAM виробникам мобільних процесорів, а також мобільних пристроїв. Оскільки попит на високопродуктивні та високощільні рішення для мобільної пам'яті в невеликих корпусах продовжує зростати, компанія планує розробити 6-шарові модулі місткістю 24 ГБ і 8-шарові модулі місткістю 32 ГБ у найтонших корпусах LPDDR DRAM для майбутніх пристроїв.

Про DCIM у забезпеченні успішної роботи ІТ-директора