| 0 |
|
В лаборатории IBM удалось создать самые миниатюрные схемы, когда-либо полученные методом оптической иммерсионной литографии.
Расстояние между дорожками, изготовленными используя излучение с длиной волны 193 нм и материалы с высоким коэффициентом преломления (1,6-1,7, а в дальнейшей перспективе - 1,9), разработанные в партнерстве с калифорнийской фирмой JSR Micro, составляет всего 29,9 нм.
Это в три раза меньше, чем позволяет современный массовый 90-нанометровый техпроцесс. Кроме того, это меньше предела 32 нм, формально установленного в индустрии для технологии оптической литографии.
По заявлению доктора Роберта Аллена (Robert D. Allen) из IBM Almaden Research Center, этот результат - самый сильный на сегодняшний день аргумент, свидетельствующий, что полупроводниковая промышленность имеет еще семь лет времени перед тем, как понадобится радикально менять производственные технологии.
Комп’ютерний розум: генеративний штучний інтелект у рішеннях AWS
| 0 |
|
