`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Разработан КМОП-усилитель для сотовых телефонов 5G

0 
 
Разработан КМОП-усилитель для сотовых телефонов 5G

Мобильные устройства пятого поколения (5G) должны появиться в 2019 г. Для того, чтобы обеспечить ожидаемые от таких гаджетов возможности их производителям потребуются усовершенствованные усилители мощности, работающие на очень высоких частотах.

Сегодняшние усилители для сотовых телефонов сделаны из арсенида галлия, из-за чего не могут быть интегрированы с основными схемами, выполненными по кремниевой КМОП-технологии. Подобная интеграция на общем чипе позволила бы уменьшить производственные затраты и энергопотребление, одновременно улучшив быстродействие мобильного устройства.

«Кремний гораздо дешевле арсенида галлия, он более надёжен и дольше сохраняет работоспособность. Кроме того, объединение всего в общем чипе облегчает тестирование и обслуживание», — заявил Саид Мохаммади (Saeed Mohammadi), адъюнкт-профессор электро- и компьютерной техники Университета Пердью (штат Индиана).

Вместе с коллегами он разработал высокоэффективный КМОП-усилитель мощности с рабочим диапазоном частот, подходящим для сотовых аппаратов 5G, автомобильных радаров следующего поколения и коммуникационных микроспутников.

Об этом подробнее рассказывается в двух статьях, одна из которых будет представлена 24 мая на IEEE International Microwave Symposium в Сан-Франциско (штат Калифлрния), а другая войдёт в следующий номер журнала IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques.

Эффективность нового усилителя достигает 40%, что сопоставимо с характеристиками аналогов из арсенида галлия. При его создании использовалась высокопроизводительная КМОП-технология «кремний на изоляторе» (SOI). Усилитель состоит из нескольких транзисторов, размещённых один поверх другого. Это позволило, сократить количество металлических межсоединений и уменьшить паразитную ёмкость, которая снижает производительность электронных схем и может приводить к выходу их из строя.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Slack подает жалобу на Microsoft и требует антимонопольного расследования от ЕС

 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT