`

СПЕЦИАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТА

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

На смену кремниевым чипам придут сверхбольшие кристаллы 2D-материалов

+33
голоса

На смену кремниевым чипам придут сверхбольшие кристаллы 2D-материалов

Недавнее открытие графена и других двумерных (2D) материалов создало предпосылку для новой платформы полупроводниковых технологий, способной сменить кремниевую, которая приближается к пределу своих функциональных возможностей. Дихалькогениды переходных металлов (TMD), такие как MoS2, WS2, MoSe2, WSe2, рассматриваются как наиболее перспективные 2D-полупроводники.

Но для построения сверхбольших интегральных схем нужны монокристаллические заготовки таких материалов, соизмеримые по величине с кремниевыми пластинами, используемыми в промышленности сегодня. Успехи в подобном масштабировании монокристаллических TMD до сих пор были весьма скромными.

Группа исследователей из Центра многомерных углеродных материалов (CMCM) при корейском Институте фундаментальных наук (IBS) в соавторстве с представителями Пекинского университета, Пекинского технологического института и Фуданьского университета опубликовали статью в журнале Nature Nanotechnology, где сообщили об эксперименте по выращиванию 2-дюймовых монокристаллических плёнок дисульфида вольфрама.

Предложенный ими механизм «эпитаксиального роста, управляемого двойной связью» авторы успешно применили также к выращиванию монокристаллических большеразмерных заготовок MoS2, WSe2 и MoSe2.

Первая направляющая сила — взаимодействие WS2 с плоскостью сапфировой подложки — обеспечивает два взаимно противоположных направления предпочтительной кристаллизации островков 2D-материала. Связь между WS2 и ступенчатым краем сапфира является второй движущей силой, которая препятствует вырождению двух антипараллельных ориентаций.

По мере того как направляемые подобным образом кристаллические островки TMD увеличиваются в размерах, происходит их слияние с образованием в конечном итоге единого кристалла, покрывающего всю сапфировую подложку целиком.

По мнению учёных, их новый метод синтеза крупномасштабных монокристаллов годится для любого 2D-материала, дело лишь за тем, чтобы выбрать подходящую подложку. «Теоретически, такая подложка, во-первых, должна иметь низкую симметрию и, во-вторых, как можно большее количество ступенчатых краев», — рассказал доктор Тин Чен (Ting Cheng), один из соавторов публикации.

Руководитель исследовательского коллектива, профессор Фэн Дин (Feng Ding) расценивает достигнутое ими как решающий прогресс в области устройств на основе 2D-материалов.

«Успешным выращиванием монокристаллических 2D TMD в масштабе пластины на изоляторах (в дополнение к графену и гексагональному нитриду бора на подложках из переходных металлов) наше исследование закладывает краеугольный камень для применения 2D-полупроводников в высокотехнологичных приложениях электронных и оптических устройств», — заявил он.

Де і як компаніям необхідно укріпити свій захист

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT