| +22 голоса |
|
Компании Intel и STMicroelectronics вышли на очередной важнейший этап своего сотрудничества, начав поставки опытных образцов будущей продукции на базе технологии памяти с фазовым переходом (Phase Change Memory, PCM). Эти опытные образцы являются первыми рабочими микросхемами и будут переданы заказчикам для оценки и испытаний, чтобы ускорить внедрение новой технологии.
В модуле памяти объемом 128 МБ, получившем кодовое наименование Alverstone, используется технология PCM, которая обеспечивает высокое быстродействие при считывании и записи данных и позволяет сократить энергопотребление по сравнению с традиционной флэш-памятью. Новая технология также допускает побитные операции, характерные для обычной оперативной памяти ПК.
«Это самое большое достижение в области энергонезависимой памяти за последние 40 лет, – уверен Эд Доуллер (Ed Doller), главный директор по технологиям Numonyx, новой совместной компании STMicroelectronics и Intel, которая будет заниматься производством флэш-памяти. – Была уже масса попыток поиска и разработки новых технологий энергонезависимой памяти, но, по сравнению с другими проектами, PCM выглядит гораздо привлекательнее, и сегодня Intel и STMicroelectronics уже представили решение на базе технологии PCM на суд пользователей. Это очень важное событие для наших компаний и для отрасли в целом».
На прошлой неделе специалисты Intel и STMicroelectronics представили на Международной конференции по интегральным схемам (International Solid States Circuits Conference, ISSCC) научную статью с подробным описанием преимуществ технологии PCM. Компании также впервые в мире продемонстрировали рабочий образец модуля памяти высокой плотности и большого объема на базе многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), изготовленный по технологии PCM.
Переход от структуры памяти, предусматривающей один бит на ячейку, к MLC позволяет существенно повысить емкость памяти и уменьшить стоимость одного мегабайта, поэтому сочетание MLC и PCM сулит огромные выгоды.
Совместная исследовательская программа Intel и STMicroelectronics по разработке памяти с фазовым переходом действует с 2003 года. Уже в 2004 году на конференции VLSI были продемонстрированы матрицы памяти объемом 8 Мбит, изготовленные по 180-нм технологии, а в 2006 году на симпозиуме VLSI был представлен 128-мегабитный модуль памяти Alverstone на базе 90-нм производственного процесса. Производством модулей Alverstone и другой совместной продукции будет заниматься новая независимая полупроводниковая компания Numonyx, соглашение о создании которой в мае 2007 года подписали STMicroelectronics, Intel и Francisco Partners.
По данным аналитической компании Web-Feet Research, в 2007 году совокупный объем рынка памяти DRAM, флэш-памяти и других устройств памяти, подобных EEPROM, достиг 61 миллиарда долларов США. В следующем десятилетии, возможно, произойдет замедление темпов роста объема и плотности модулей оперативной памяти и флэш-памяти, поэтому память PCM имеет огромные перспективы на рынке. Появление памяти PCM с многоуровневыми ячейками позволит еще больше снизить стоимость производства и использования одного бита памяти по сравнению с сегодняшними технологиями. Наконец, PCM сочетает преимущества самых разных технологий памяти: побитную запись и считывание – от DRAM, энергонезависимость - от флэш-памяти, высокую скорость считывания от NOR и записи от NAND.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +22 голоса |
|
