>Оперативная память

Компанія NEO Semiconductor оголосила про запуск розробленої нею оперативної пам'яті 3D X-DRAM, яка покликана зняти обмеження масштабування нині широко поширеної 2D DRAM.

Однією з цікавих можливостей пам'яті нового покоління DDR5 є можливість підбору модуля з місткістю, яка не входить до ряду з подвоєнням попередніх значень. Так якщо раніше лінійку входили пристрої на 8, 16, 32, 64 ГБ і т.д., то тепер обсяг DIMM може приростати по половині кроку подвоєння.

Компанія SK Hynix оголосила про плани продемонструвати на майбутній виставці CES 2023 свою новітню розробку - PS1010 E3.S, eSSD, що базується на 176-шаровий 4D NAND.

Компанія SK hynix оголосила, що розробила робочі зразки модулів пам'яті DDR5 Multiplexer Combined Ranks (MCR) Dual In-line Memory Module, найшвидшого у світі продукту серверної DRAM по її ствердженню. Як каже виробник, новинка працює на швидкості передачі даних не менше 8 Гбіт/с, що як мінімум на 80% швидше, ніж 4,8 Гбіт/с в наявних продуктів DDR5.