| 0 |
|
Компанія Samsung Electronics анонсувала випуск чіпів 16 Гбіт DDR5 DRAM на базі 12-нанометрового техпроцесу, який є найбільш сучасним в даному сегменті індустрії.
«Завдяки використанню унікального технологічного процесу провідна в галузі пам'ять DDR5 DRAM класу 12 нм від Samsung забезпечує видатну продуктивність та енергоефективність, - сказав Джуон Лі (Jooyoung Lee), виконавчий віцепрезидент з продуктів та технологій DRAM у Samsung Electronics. "Наша остання версія DRAM відображає наше постійне прагнення лідирувати на ринку DRAM не тільки за допомогою високопродуктивних та містких продуктів, які задовольняють потреби обчислювального ринку в великомасштабній обробці, але й шляхом комерціалізації рішень наступного покоління, що підтримують вищу продуктивність".
Порівняно з попереднім поколінням, нова пам'ять DDR5 DRAM класу 12 нм від Samsung знижує енергоспоживання на 23% та підвищує продуктивність пластини на 20%.
Наголошується, що розробка компанією Samsung техпроцесу класу 12 нм стала можливою завдяки використанню нового матеріалу з високим значенням κ, який допомагає збільшити місткість елемента. Висока місткість призводить до значної різниці електричних потенціалів сигналів даних, що полегшує їх точне розрізнення. Зусилля компанії зі зниження робочої напруги та зниження рівня шуму також допомогли знайти оптимальне рішення, якого потребують клієнти.
Для новинки заявлена максимальна швидкість 7,2 Гбіт/с, тому вона націлюється на список додатків, що швидко зростає, включаючи центри обробки даних, штучний інтелект і обчислення нового покоління.
За заявою Samsung, оцінку сумісності 16-гігабітної DDR5 DRAM із платформою AMD було завершено у грудні минулого року, і компанія продовжує співпрацювати з глобальними ІТ-гравцями для впровадження інновацій на ринку DRAM наступного покоління.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
