`

СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ

Чи використовує ваша компанія ChatGPT в роботі?

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Слой оксида ванадия заставит транзисторы работать лучше

0 
 
Слой оксида ванадия заставит транзисторы работать лучше

«Очень непросто найти замену современной транзисторной технологии, — утверждает Роман Энджел-Херберт (Roman Engel-Herbert), адъюнкт-профессор материаловедения в Пенсильванском университете (Penn State). — Однако, есть некоторые материалы, например, оксид ванадия, добавление которых в существующие устройства заставляет те работать ещё лучше».

Диоксид ванадия известен своим необычным свойством — переходом между металлической и диэлектрической фазами. В зависимости от состояния этот материал проводит электрический ток или блокирует его, то есть выполняет базовую функцию компьютерной логики и памяти.

Для того, чтобы получить резкий переход металл-изолятор, должно быть очень точно выдержано нужное соотношение ванадия и кислорода. Максимальное соотношение сопротивлений в этом случае превышает четыре порядка величины, чего вполне достаточно для улучшения стабильности и эффективности работы современных транзисторов. Главная проблема заключается в том, что до сих пор не удавалось выращивать в тонких плёнках двуокись ванадия нужного качества, по крайней мере в масштабах, достаточных для промышленного применения.

В онлайновой публикации в журнале Nature Communications, команда Penn State сообщила о получении тонких однородных плёнок двуокиси ванадия с точным соотношением 1:2 на трёхдюймовых сапфировых заготовках. Для этого был применён нестандартный метод. На пластину сапфира одновременно наносили оксид ванадия с разными соотношениями Va/O, и, используя ’библиотеку’ соотношений, рассчитывали оптимальный режим эпитаксиального роста с получением идеальной стехиометрии 1:2.

Такой материал может найти применение в производстве гибридных полевых транзисторов (hyper-FET), отличающихся более экономичным потреблением энергии. В предшествующей работе той же группы было показано, что добавление диоксида ванадия обеспечивает резкое и обратимое переключение при комнатной температуре, уменьшает тепловыделение и снижает потребность транзистора в питании.

Применение слоя функционального оксида также улучшает устройства энергонезависимой памяти, причём, как отмечают авторы, помимо значительного улучшения операции считывания данных, двуокись ванадия может служить селектором в некоторых архитектурах памяти. Селектор гарантирует, что чтение или запись осуществляются в пределах одной ячейки, не переходя её границ.

На конференции IEEE International Electron Device Meeting в декабре, ученые также продемонстрируют сверхвысокочастотные коммутаторы, созданные ими вместе с коллегами из Университета Нотр-Дам (штат Индиана) с применением нового метода.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Ukraine

 

  •  Home  •  Ринок  •  IТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Мережі  •  Безпека  •  Наука  •  IoT