| 0 |
|
Компанія Samsung Electronics оголосила про початок постачання перших в індустрії зразків 12-шарової пам'яті надвисокої пропускної здатності HBM4E своїм ключовим глобальним клієнтам. Цей крок покликаний зміцнити лідерство компанії на ринку мікросхем пам'яті для штучного інтелекту нового покоління та гіперскейлерів.
Реліз відбувся невдовзі після того, як у лютому цього року Samsung першою у світі запустила масове виробництво базового стандарту HBM4. Нова модифікація HBM4E розроблена спеціально для задоволення екстремальних апаратних вимог, пов'язаних із навчанням гігантських мовних моделей (LLM).
«Після успішного запуску конвеєра HBM4, Samsung знову демонструє свою унікальну технологічну перевагу з виходом HBM4E, - заявив Сан Джун Хванг (Sang Joon Hwang), виконавчий віцепрезидент і керівник відділу розробки пам'яті Samsung Electronics. - Завдяки нашим передовим виробничим потужностям та превентивним інвестиціям в інфраструктуру ми продовжимо рухати вперед увесь світовий ринок AI-пам'яті».
Нове покоління пам'яті демонструє суттєвий відрив від попередників за всіма ключовими параметрами. Так базова швидкість передачі даних становить 14 Гбіт/с на контакт (pin speed) із можливістю розгону до 16 Гбіт/с. Це на 20% швидше, ніж у стандартної HBM4. Сумарна пропускна здатність одного стека пам'яті сягає астрономічних 3,6 терабайта за секунду (ТБ/с).
Представлені 12-шарові зразки мають об'єм 48 ГБ (приріст на 30% порівняно з минулим поколінням). Надалі Samsung планує розширити лінійку 8-шаровими модулями на 32 ГБ та екстремальними 16-шаровими конфігураціями на 64 ГБ.
Унікальність пропозиції Samsung полягає в тому, що компанія є конгломератом повного циклу і створює HBM4E повністю на власних потужностях, об'єднуючи підрозділи розробки пам'яті та контрактного виробництва чипів.
Кристали пам'яті (Core Die) виготовляються за найсучаснішим в індустрії техпроцесом DRAM 6-го покоління 10-нанометрового класу (1c).
На відміну від старих поколінь HBM, де використовувалася звичайна логіка, тут застосовано передову 4-нанометрову логічну підкладку від Samsung Foundry, що забезпечує стабільність структури та високий відсоток виходу придатних чипів.
Оскільки дата-центри штучного інтелекту споживають колосальну кількість електрики та виділяють багато тепла, інженери Samsung провели глибоку оптимізацію архітектури HBM4E.
Завдяки застосуванню нових низьковольтних технологій та оптимізованій структурі пакування мікросхем, енергоефективність системи зросла на 16%, а термічний опір знизився на 14% порівняно з попередніми рішеннями. Це дозволяє ефективно розсіювати тепло під час екстремальних обчислювальних навантажень, знижуючи витрати на охолодження серверів.
Повномасштабне масове виробництво HBM4E буде синхронізоване з графіками постачання обладнання кінцевим клієнтам після завершення етапу тестування та фінальної оптимізації зразків.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
