+11 голос |
Концепция униполярного полевого транзистора SGT (source-gated transistor) была предложена в 2001 г., чтобы объяснить характеристики полевых транзисторов, полученных из аморфного кремния ионной имплантацией.
Отличительными особенностями SGT являются низкое напряжение насыщения и высокое выходное полное сопротивление. Такие характеристики снижают вероятность возникновения неполадок в цепях, увеличивают эффективность использования энергии при сохранении низкой себестоимости, что делает SGT особенно перспективными для применения в электронике следующего поколения.
Ранее, изобретатели SGT — коллектив Университета Суррея вместе с учеными из компании Philips — показали, что этот компонент может применяться во многих аналоговых электронных конструкциях, таких как экраны дисплеев. В своей новой работе они продемонстрировали пригодность SGT также для использования в цифровых схемах.
В частности, сферой применения данной технологии могут стать сверхлегкие и гибкие гаджеты, сворачиваемые в рулон для экономии места, интеллектуальные сверхтонкие пластыри для беспроводного мониторинга состояния пациента, дешевые наклейки на товары, обеспечивающие мгновенную инвентаризацию, встроенные в дома датчики для предупреждения о стихийных бедствиях.
«До сих пор такие технологии можно было надежно производить только в небольших партиях, в стенах лабораторий. Теперь же, с SGT, мы продемонстрировали возможность достигать необходимых характеристик без увеличения сложности или себестоимости конструкции», — комментирует ведущий исследователь из Университета Суррея, доктор Раду Спореа (Radu Sporea). «Мы сможем увидеть массовое внедрение нового поколения гаджетов гораздо раньше, чем рассчитывали», — заключает он.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+11 голос |