| +11 голос |
|
Исследователи из Ассоциации низковольтной электроники (Low-power Electronics Association & Project, LEAP) и Цукубского университета (University of Tsukuba) создали технологию фазовой памяти (phase-change memory, PCM) с новой структурой и логикой работы. Она позволит сократить время записи и требующуюся для нее силу тока на 90% по сравнению с существующими аналогами. При этом число циклов перезаписи памяти удалось увеличить до 100 млн.
Ученые предлагают применять вместо традиционной для PCM структуры GeSbTe (германий, сурьма, теллур) опробованную ими GeTe/Sb2Te3. Традиционная GeSbTe меняет свое сопротивление при нагревании. Тогда как новая структура изменяет сопротивление благодаря движению ионов Ge, вызванному инъекцией электронов. В результате, это позволяет перезаписывать ячейки памяти с большей скоростью и меньшими затратами энергии по сравнению с существующей памятью NAND и PCM. Исследователям уже удалось достичь рабочего напряжения в 0,4 В.
«Мы планируем вывести новую технологию на рынок в 2018-20 гг., когда она понадобится для нового поколения SSD, которые будут работать в будущих ЦОД», — отметил Норикацу Такаура (Norikatsu Takaura), сотрудник Phase-Change Device Group в LEAP.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
