`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

На пороге компьютерных чипов следующего измерения

+33
голоса

Исследовательское сотрудничество между Университетом Осаки и Институтом науки и технологии Нары впервые использовало сканирующую туннельную микроскопию (STM) для создания изображений атомарно плоских боковых поверхностей трехмерных кристаллов кремния. Эта работа помогает полупроводниковым производителям продолжать внедрять инновации, производя меньшие, более быстрые и энергоэффективные чипы для компьютеров и смартфонов.

Наши компьютеры и смартфоны содержат миллионы крошечных транзисторов. Производительность этих устройств со временем значительно увеличилась, так как количество транзисторов, которые могут поместиться на одном компьютерном чипе, продолжает увеличиваться. Основываясь на законе Мура, плотность транзисторов на чипе удваивается примерно каждые два года. Чтобы поддерживать этот темп, производители компьютеров постоянно ищут новые методы, позволяющие уменьшить каждый транзистор.

Современные микропроцессоры производятся путем наложения паттерна схем на плоские кремниевые пластины. Новый способ набить больше транзисторов в одно и то же пространство - это создание трехмерных структур. Плавниковые полевые транзисторы называются таковыми, поскольку они имеют похожие на плавник структуры кремния, которые выступают наружу с поверхности чипа. Однако для этого нового метода требуется кремниевый кристалл с идеально плоской боковой поверхностью, а не только с верхней поверхностью, как с современными устройствами. Проектирование следующего поколения чипов потребует новых знаний об атомных структурах боковых поверхностей.

Теперь исследователи из Университета Осаки и Института науки и техники Нары сообщают, что они впервые использовали STM для получения изображения боковой поверхности кремниевого кристалла. STM - это мощный метод, позволяющий видеть расположение отдельных атомов кремния. Подводя острый наконечник очень близко к образцу, электроны могут перепрыгнуть через зазор и создать электрический ток. Микроскоп фиксировал этот ток и определял местоположение атомов в образце.

«Наше исследование - большой первый шаг к оценке транзисторов на уровне атомного разрешения, предназначенных для 3D-структур», - говорит соавтор исследования Адзуса Хаттори (Azusa Hattori).

Чтобы сделать боковые поверхности максимально гладкими, исследователи сначала обработали кристаллы с помощью процесса, называемого реактивным ионным травлением. Соавтор Хидекадзу Танака (Hidekazu Tanaka) говорит: «Наша способность напрямую смотреть на боковые поверхности с использованием STM доказывает, что мы можем создавать искусственные 3D-структуры с почти совершенным атомным упорядочением поверхности».

На пороге компьютерных чипов следующего измерения

Пространственно разрешенные STM-изображения размером 200x200 нм2 при напряжении туннелирования Vs = +1,5 В. Плоские террасы становятся ярче и края темнее. Нижнее направление проходит от левой ((110) верхней поверхности) к правой ((-1-10) задней поверхности)

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT