Intel вложит в модернизацию Fab 11X полтора миллиарда долларов

27 февраля 2007 г., 11:45

Рынок

Компания Intel объявила о намерении инвестировать от 1 до 1,5 миллиардов долл. в модернизацию своих производственных мощностей в Рио-Ранчо. После переоборудования фабрика Fab 11X будет выпускать микросхемы по 45-нанометровой технологии и станет четвертой площадкой Intel, на которой микросхемы будут выпускаться по этой технологии.

Ввод в эксплуатацию новых производственных мощностей в Нью-Мексико намечен на вторую половину следующего года.

Intel уже ранее сообщала, что начнет выпускать микросхемы по новой 45-нанометровой производственной технологии уже в этом году, используя новые диэлектрики high-k (с более высоким значением диэлектрической проницаемости) и новое сочетание металлов для изготовления электрода затвора.

Выпуск продукции Intel по новой 45-нанометровой производственной технологии начнется на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне. Сейчас Intel строит еще две фабрики, рассчитанные на использование 45-нанометрового производственного процесса. Строительство Fab 32 в Чэндлере, шт. Аризона, обойдется в 3 млрд. долл., ее запуск состоится уже в текущем году. В строительство Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль) вложено 3,5 млрд. долл. открытие этой фабрики запланировано на первую половину следующего года.

Сейчас Fab 11X выпускает микросхемы по 90-нанометровой технологии на базе кремниевых подложек диаметром 300 мм. Эта фабрика была открыта в октябре 2002 года и стала первой фабрикой Intel, на которой было освоено массовое производство микросхем на базе подложек диаметром 300 мм. Стоит отметить также, что производственная площадка в Рио-Ранчо у Intel существует уже 27 лет.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI