| 0 |
|
Новый завод будет производить микросхемы NAND-флеш и DRAM с использованием 300-миллиметровых пластин. Для Hynix это вторая фабрика за пределами Кореи, еще одна находится в штате Орегон.
Первый камень в строительства производства в Вуси был заложен в апреле прошлого года. Предприятие занимает 550 тыс. кв. м, из них 20 тыс. кв. м приходится на "чистые помещения".
Производство пластин диаметром 200 мм началось в прошедшем июне с мощностью 50 тыс. штук в месяц, а 300-миллиметровых -- в октябре 2006 г. по 18 тыс. штук ежемесячно. В настоящий момент чипы DRAM изготовляются по технологии с уровнем детализации 90 и 110 нм на пластинах 200 мм, и 80 нм на пластинах 300 мм. К середине следующего года предприятие начнет производить микросхемы флеш-памяти NAND.
Финансирование совместного предприятия в размере 2 млрд долл. на две трети обеспечивалось компанией Hynix и на одну треть - STMicroelectronics. На заводе работает около 2 тыс. человек.
Согласно данным iSuppli, рынок чипов DRAM в этом году увеличится на 24,4% до 30,9 млрд долл., а сегмент флэш-памяти NAND вырастет на 17%, достигнув оборота 12,6 млрд долл.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
