IBM и Hitachi заключили соглашение в области разработки полупроводников

Компании IBM и Hitachi объявили о подписании двухгодичного соглашения, целью которого является скорейшее внедрение инновационных разработок в полупроводниковые устройства. В соответствии с ним будет проведено совместное изучение характеристик полупроводниковых чипов на околоатомарном уровне.

Стоит отметить, что это первый опыт взаимодействия в данном сегменте компаний, плодотворно работающих сообща над серверами корпоративного класса и другой продукцией.

Анонсированное соглашение в первую очередь касается исследований полупроводников с уровнем детализации 32 нм и далее. Уменьшение размера транзисторов является одним из главных факторов повышения производительности микросхем.

Инженеры обеих компаний и дочернего подразделения Hitachi High-Technologies будут проводить совместные исследования в Исследовательском центре имени Томаса Уотсона в Нью-Йорке, а также в Нанотехнологическом комплексе в г. Олбани.