`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Алмазы найдут применение в высокотемпературных транзисторах

+11
голос
Алмазы найдут применение в высокотемпературных транзисторах

Алмаз является одним из самых перспективных материалов для использования в качестве широкозонного полупроводника в металлоксидных полевых транзисторах (MOSFET). Выдающиеся физические свойства алмаза позволили бы таким устройствам работать при экстремально высоких температурах, напряжениях и значительно уменьшить потери энергии.

Главным препятствием к реализации полупроводникового потенциала алмаза является низкая мобильность носителей в дырочном канале. Исследователи из Франции, Великобритании и Японии рассчитывают преодолеть это затруднение, применив новый подход: глубокое обеднение алмазов, легированных бором.

В кремниевых транзисторах режим глубокого обеднения нестабилен и даёт канал с частичной проводимостью. В алмазе, благодаря большой ширине запрещённой зоны глубокое обеднение сохраняется, обеспечивая надёжное отключение тока.

Проведённая концептуальная проверка этого метода демонстрирует увеличение мобильности на порядок величины в простых алмазных структурах MOSFET. Результаты экспериментов опубликованы на этой неделе в журнале Applied Physics Letters. Помимо алмаза они применимы к другим широкозонным полупроводникам, таким как Ga2O3 и AlN.

26 ноября — не пропустите Dell Technologies Forum EMEA!

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Slack подает жалобу на Microsoft и требует антимонопольного расследования от ЕС

 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT