В текущем квартале компания Samsung Electronics начнет выпуск первого в индустрии мультичипового модуля (MCP), в состав которого войдет PRAM.
Этот тип памяти рассматривается как альтернатива флэш-устройствам NOR в потребительской электронике, он получит широкое распространение уже в следующем году. PRAM работает записывая данные посредством изменения фазовых характеристик ее базового материала – сплава германия, сурьмы и титана. Она сочетает энергонезависимую природу флэш-памяти с быстродействием DRAM. Более простая, в сравнении с NOR, структура ячеек PRAM ускоряет создание MCP с уровнем детализации от 30 нм и выше.
Применяемая наряду с LPDDR2 DRAM в составе MCP 512-мегабитовая Samsung PRAM обратносовместима по аппаратной и программной функциональности с NOR 40-нанометрового класса, что облегчит ее внедрение производителями мобильных телефонов.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
0 |