У SemiAnalysis розібрали новий процесор Huawei Kirin 9030 і знайшли несподівану деталь

Фахівці аналітичної компанії SemiAnalysis розібрали новітній флагманський процесор HiSilicon Kirin 9030, який використовується у смартфоні Huawei Mate 80, та дослідили його внутрішню структуру за допомогою електронного мікроскопа.

Результати виявилися абсолютно несподіваними для напівпровідникової індустрії. Мінімальний крок між металевими провідниками (metal pitch) всередині Kirin 9030 становить лише 32,5 нанометра. Це щільніше, ніж аналогічний показник у процесорах Intel Panther Lake, побудованих на найновішому та найбільш просунутому техпроцесі Intel 18A (де мінімальний крок складає близько 36 нм).

«Китайська фабрика SMIC, яка перебуває під жорсткими санкціями США та позбавлена доступу до найсучаснішого обладнання - зокрема EUV-літографії (ультрафіолетового випромінювання екстремального діапазону) - змогла упакувати провідники приблизно на 10% щільніше, ніж Intel на своєму передовому EUV-вузлі, - зазначають у SemiAnalysis. - Як таке взагалі можливо?»

Експерти пояснюють, що китайський чипмейкер SMIC досяг такої щільності на своєму техпроцесі 3-го покоління (N+3) завдяки екстремальному використанню технології DUV-мультипаттернінгу (багаторазового накладання масок) та оптимізації дизайну. Однак, як наголошують у SemiAnalysis, менший крок металізації не означає автоматичної перемоги у загальній продуктивності чи енергоефективності.

Intel свідомо зробила провідники на лицьовому боці трохи ширшими (36 нм), оскільки використовує технологію PowerVia (подачу живлення зі зворотного боку кремнієвої пластини). Це звільняє місце для сигнальних ліній і забезпечує Intel суттєву перевагу в загальній щільності транзисторів та ефективності.

Щоб домогтися 32,5 нм без EUV-сканерів, SMIC змушена витрачати значно більше ресурсів та етапів травлення. При цьому за загальною транзисторною щільністю та реальними швидкісними характеристиками Kirin 9030 все ще відстає від сучасних рішень від Apple, Qualcomm та Intel на кілька років, відповідаючи рівням флагманів минулих років. Однак, той факт, що санкційний китайський чипмейкер зміг витиснути подібні геометричні показники з застарілого обладнання, викликав бурхливе обговорення серед інженерів по всьому світу.