| 0 |
|
Современные ПК на 8-ядерных процессорах характеризуются высокой производительностью, но далеко не экономичны. Ученые Университета штата Пенсильвания (США) разработали новый транзистор, который может прийти на смену современным, производимым по технологии MOSFET (канальный полевой униполярный МОП-транзистор) и существенно повлиять на энергопотребление микросхем будущих поколений.
В традиционных MOSFET для переключения транзистора необходимо напряжение около 1 В, и современные системы практически исчерпали возможности снижения энергопотребления микросхем, что обусловлено особенностями системы MOSFET. В новом транзисторе используется два полупроводника с непохожими свойствами: соединение мышьяка, индия и галлия (InGaAs) и галлия, мышьяка и сурьмы (GaAsSb) в специально подобранном соотношении. За счет этого ток возбуждения в новом Hetero Tunnel FET (гетеротуннельном полевом транзисторе) увеличен в 7,6 раз, что позволяет работать при меньшем напряжении, около 0,3 В.
Образец нового транзистора создавался в сотрудничестве с IQE, которая предоставила произведенную с использованием технологии молекулярно-лучевой эпитаксии многослойную подложку. Сами вертикально-ориентированные транзисторы нового типа были построены на производственных мощностях Института материаловедения (Materials Research Institute).
Результаты работы были представлены на конференции International Electron Devices Meeting, прошедшей 7 декабря в Вашингтоне (США).
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
