Боридное покрытие увеличивает срок эксплуатации зондовой памяти до 8 лет

Зондовые запоминающие устройства (probe storage devices) записывают данные нанометровыми отметками через физический контакт с поверхностью. Эта технология способна превзойти по плотности хранения информации традиционные магнитные и оптические накопители. Однако, нерешенной проблемой остается быстрый механический износ зондов.

Исследовательскому коллективу под руководством корпорации Intel удалось значительно удлинить период эксплуатации высокоплотной зондовой памяти, покрыв кончики зондов тонкой металлической пленкой. Экспериментальный образец содержит массив из 5 тыс. сверхтонких зондов, интегрированный с электронными цепями микрочипа. Зонды записывают миниатюрные фрагменты памяти, протяженностью в несколько нанометров, посылая короткие электрические импульсы в ферроэлектрическую пленку (которые дают ей постоянную электрическую поляризацию).

При скоростном доступе к памяти массив зондов должен быстро и часто перемещаться вдоль пленки. Для замедления неизбежного в таком сценарии износа кончиков их защитили сверхтвердым проводящим покрытием из диборида гафния (HfB₂), нанесенным способом низкотемпературного осаждения из паровой фазы.

Как сообщается в журнале Applied Physics Letters, такая защита позволяет сохранять требуемое разрешение чтения-записи (более 1 Тб на квадратный дюйм) на расстояниях, превышающих 8 км. Прежний лучший результат, с платино-иридиевым покрытием, не превышал 5 км. Новое достижение увеличивает срок эксплуатации зондовой памяти примерно до 8 лет, приближая коммерческое внедрение перспективной технологии.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365