Компания Samsung Electronics объявила о разработке первого чипа DRAM, выполненного с уровнем детализации 40 нм, и соответствующего модуля памяти – микросхемы DDR2 1 Гб/с и планки DDR2 SODIMM объемом 1 ГБ и пропускной способностью 800 Мб/с.
Обе новинки были сертифицированы в рамках программы Intel Platform Validation для использования с мобильными чипсетами серии Intel GM45. Сообщается, что переход на уровень 40 нм позволит сократить время вывода продукта на рынок в 2 раза – до одного года. По сравнению с прежним поколением (50 нм), также обеспечиваетсся рост энергопотребления на 30% и повышение эффективности производства на 60%.
Samsung планирует применить 40-нанометровый техпроцесс для изготовления чипов DDR3 емкостью 2 Гб, массовое производство которых начнется в конце 2009 г. Кроме того, компания расценивает новое достижение как существенныйшаг навстречу разработке высокоскоростной памяти DDR4.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
