Образец нового транзистора выполнен из фосфида индия и арсенида галлия, в областях базы и коллекторов использовано псевдоморфное смешение структуры материалов, что позволяет уменьшить ширину запрещенных зон этих областей, увеличить скорость электронов, снизить плотность и время зарядки.
Ученые также усовершенствовали процесс производства, что привело к уменьшению вертикальных размеров компонентов транзистора (например база имеет толщину 12,5 нм). Таким образом удалось сократить расстояние, на которое перемещаются электроны, и повысить скорость транзистора.
При комнатной температуре (25 град. Цельсия) учеными была зафиксирована скорость образца транзистора 765 GHz, а при -55 град. Цельсия -- 845 GHz.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
