Samsung Electronics объявила о выпуске первой в индустрии флэш-памяти NAND с 3 битами на ячейку (3bit), с уровнем детализации класса 20 нм. Высокоплотный чип емкостью 64 Гб может быть использован в таких решениях как накопители USB-флэш и карточки SD.
Исследователи из государственного университета штата Огайо продемонстрировали пластиковое запоминающее устройство, использующее для записи информации спин электронов.
