В университете Огайо создан прототип пластиковой памяти, основанной на спиновом эффекте

Исследователи из государственного университета штата Огайо продемонстрировали пластиковое запоминающее устройство, использующее для записи информации спин электронов.

Артур Эпштейн (Arthur Epstein), возглавляющий институт магнитных и электронных полимеров штата Огайо, описывает созданный прототип как гибрид полупроводника, изготовленного из органических материалов, и специального магнитного полимера с полупроводниковыми свойствами.

Технология, описываемая в августовском издании журнала Nature Materials, заключается в изменении ориентации вращения электронов и, в перспективе способна стать основой нового класса энергонезависимой памяти, занимающей меньше места, работающей быстрее и более экономичной, чем сегодняшние аналоги.