| 0 |
|
Компанія NEO Semiconductor оголосила про запуск платформи NEO.AI. Нова архітектура покликана усунути ключові обмеження, з якими стикається сучасний штучний інтелект: дефіцит накристальної пам'яті (AI-кешу) та обмежену місткість пам'яті HBM.
У рамках анонсу компанія вперше презентувала технологію накристальної пам'яті X-SRAM, а також поділилася останніми досягненнями у розробці 3D X-DRAM - технології високоефективної HBM-пам'яті.
Зі швидким зростанням розмірів та складності AI-моделей саме система збереження даних стала головним «вузьким місцем» для обчислювальних прискорювачів. Масштабування традиційної SRAM-пам'яті суттєво уповільнилося на сучасних техпроцесах, тоді як місткість HBM обмежена фізичними лімітами двовимірної 2D DRAM.
«Інновації у сфері пам'яті стають критично важливими для майбутнього штучного інтелекту, - зазначає засновник та генеральний директор NEO Semiconductor Енді Хсу (Andy Hsu). - Технологія X-SRAM кардинально збільшує щільність накристальної пам'яті, тоді як 3D X-DRAM багаторазово підвищує місткість HBM. Разом вони формують масштабовану основу для AI-систем наступного покоління та роблять важливий крок до руйнування "стіни пам'яті"».
Співзасновник Acer, колишній член ради директорів TSMC із понад 20-річним стажем та радник NEO Semiconductor Стен Ши (Stan Shih) підкреслив, що нові розробки відкривають широкі перспективи для всієї напівпровідникової галузі та глобальної екосистеми AI.
Платформа NEO.AI об'єднує дві ключові технології в єдину архітектуру.
X-SRAM забезпечує у п'ять разів вищу щільність зберігання даних порівняно з традиційною SRAM-пам'яттю при збереженні аналогічної швидкодії. Вона повністю сумісна з передовими технологічними процесами nanosheet CMOS та відкриває шлях до створення монолітних 3D X-SRAM систем.
3D X-DRAM використовує перевірені техпроцеси виробництва 3D NAND для створення DRAM-пам'яті. Це дозволяє наростити місткість HBM-стеків у 10 разів порівняно з традиційною DRAM. Успішне підтвердження концепції довело її готовність до масштабування та масового виробництва.
Докладний анонс технологій відбувся під час виступу керівника NEO Semiconductor Енді Хсу на конференції FMS: The Future of Memory and Storage.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
