Samsung запустила в массовое 30-нанометровое производство MLC NAND с 3-битовыми ячейками

Samsung Electronics объявила о старте первого в индустрии широкомасштабного выпуска чипов флэшпамяти MLC NAND с 3-битовыми ячейками и уровнем детализации 30 нм. Эти устройства будут применяться в модулях памяти совместно с эксклюзивными контроллерами 3-битовой NAND, а первым коммерческим продуктом станет карта microSD емкостью 8 ГБ.

Усовершенствованная MLC NAND увеличивает эффективность хранения данных на 50% по сравнению с распространенной сейчас двухбитовой памятью.

Одновременно компания, также впервые в отрасли, анонсировала начало массового производства 30-нанометровых микросхем MLC NAND 32 Гб с асинхронным интерфейсом DDR, обеспечивающим скорость чтения 133 Мб/с.