| 0 |
|
Новое исследование, проведенное в университете Висконсина-Милуоки (UWM), проливает свет на ранее неизвестные особенности транспорта электронов в двумерном слое графена, нанесенном на полупроводниковую основу.
Эксперименты, описываемые в статье, вышедшей в номере Nature Communications от 21 ноября, продемонстрировали, что на поверхности раздела между графеном и полупроводником электроны встречаются с так называемым барьером Шоттки. Если он достаточно глубок, электроны не могут его преодолеть без внешнего электрического поля. Такой механизм весьма перспективен для включения и выключения будущих графеновых диодов.
Но, кроме того, группа из UWM обнаружила другую особенность графена, которая оказывает воздействие на высоту барьера. Это рябь, или мельчайшие складки поверхности двумерного материала, образующиеся при его наложении на полупроводниковую подложку, в данном конкретном случае, состоящую из карбида кремния.
Эта рябь напоминает коробление листа бумаги, намоченного, а затем высушенного. Исследование показало, что высота барьера чувствительна к таким микроскладкам, и что даже небольшая ее вариация приводит к значительным изменениям в транспорте электронов.
Новое свойство может быть помехой при создании графеновых транзисторов, и инженерам потребуется искать полупроводники, применение которых минимизирует этот эффект. Но, одновременно, это открытие предоставляет дополнительную возможность для управления высотой барьера Шоттки и открывает путь для создания более сложных наноустройств на базе графена.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
