О начале действия программы Terabyte Bandwidth Initiative объявила Rambus, компания, специализирующаяся на лицензировании быстродействующих архитектур памяти.
Корпорация NEC Electronics вместе с дочерними предприятиями NEC Electronics America и NEC Electronics (Europe) 26 ноября представила две технологии производства систем на чипе (SoC) с уровнем детализации 40 нм и встроенной оперативной памятью (eDRAM).
По результатам III-го квартала южнокорейский производитель компания Hynix заняла второе место в мире по продажам DRAM, вплотную приблизившись к лидеру данного сегмента Samsung Electronics.
Избыточное предложение и неуклонное снижение стоимости модулей памяти DRAM и NAND заставило аналитиков iSuppli изменить прогнозы в отношении этого сегмента на ближайшее время «нейтральных» на «негативные».
На проходящей в г.Тампа (штат Флорида) 52-й ежегодной конференции по магнетизму и магнитным материалам (Magnetism and Magnetic Materials Conference) корпорация Toshiba объявила о разработке ключевых технологий магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) и анонсировала произведенное с их помощью запоминающее устройство.
Немецкая компания Qimonda AG объявила о выпуске первых в мире компонентов памяти стандарта GDDR5 (Graphics Double Data Rate version 5). Сообщается, что заказчики Qimonda уже начали получать тестовые образцы чипов GDDR5 емкостью 512 Mb.
Японский производитель памяти Elpida и специализирующаяся на производстве микросхем тайваньская компания UMC объявили о начале совместной программе исследований, целью которой является создание микросхем оперативной памяти с применением low-k-диэлектриков и медных соединений, а также разработка технологии изготовления микро
По прогнозам производителей, проникновение DDR3 на рынок в течение 2007 г. не превысит нескольких процентов. Это вполне ожидаемо – предыдущие стандарты также начинали активный рост только со второго года присутствия в продаже.