| 0 |
|
В августовском IEEE Electron Device Letters, vol. 28, № 8, была опубликована статья сотрудников одной из исследовательских лабораторий Intel о существенных успехах в области построения устройств на сложных полупроводниках (в отличие от кремния, сложные полупроводники состоят из нескольких компонентов, например GaAs).
Сложные полупроводники представляют интерес для индустрии в виду высокой подвижности зарядов. Это позволяет разрабатывать более быстрые и/или менее энергоемкие устройства. К примеру, у GaAs подвижность носителей в 8 раз, а у InSb – в 50 раз больше, чем у кремния. Картину портит тот факт, что типичный диаметр арсенид-галиевых пластин составляет 150 мм, а не 300 мм, как у кремниевых, что приводит к значительному удорожанию производства.
Ситуацию можно было бы исправить, если строить устройства на сложных полупроводниках на кремниевой подложке. Однако причиной, почему регулярным способом не выращивают сложные полупроводники на кремнии, является несоответствие периодов решеток. Оно порождает дефекты, которые ухудшают производительность устройств.
Для преодоления этого исследователи сначала вырастили буферный слой, который амортизировал несоответствия периодов, и затем – более тонкие слои, период решеток которых приближался к необходимому. Для этой весьма деликатной процедуры (размеры конечного устройства составляли несколько десятков нанометров) использовался метод молекулярно-пучковой эпитаксии, посредством которой каждый атомный слой осаждался индивидуально.
Таким образом удалось создать высокопроизводительное устройство, используя два типа материалов – InSb и InGaAs.
Это первое сообщение о таком устройстве на кремниевой подложке.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
