`

СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ

Чи використовує ваша компанія ChatGPT в роботі?

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Быстрый ферроэлектрик представит реальную альтернативу транзисторам

0 
 
Быстрый ферроэлектрик представит реальную альтернативу транзисторам

Исследователи Калифорнийского университета в Беркли (UC Berkeley) и Университета Пенсильвании нашли простой способ улучшения характеристик ферроэлектрических материалов, позволяющий рассматривать их как вероятных кандидатов для использования в низковольтной электронике и экономичных компьютерных устройствах. О достигнутых результатах ученые рассказали во вчерашней онлайновой публикации в Nature Materials.

Ключевым свойством ферроэлектриков является возможность переключать полярность под действием внешнего электрического поля. Это можно использовать, в частности, для записи двоичных нулей и единиц в перспективных приложениях энергонезависимой цифровой памяти.

Значение ячейки в такой памяти определяется положением атома металла, заключенного в шестиугольную «клетку» из атомов кислорода. Обычно биты ферроэлектрической памяти изменяют, переключая ориентацию атома металла с «прямой» на «перевернутую». Низкое быстродействие такого способа было главным препятствием для более широкого использования ферроэлектрических коммутаторов в цифровых схемах.

«Мы открыли фундаментально новую и неожиданную форму отклика этих ферроэлектрических материалов на приложенное электрическое поле», — сообщил главный исследователь, Лэйн Мартин (Lane Martin) из UC Berkeley. По его мнению, это обеспечивает возможность для более быстрого переключения и многопозиционного контроля принципиально новых устройств.

Атом металла может быть ориентирован не только вверх или вниз, а в любом из шести направлений трех ортогональных осей кристаллической решетки ферроэлектрика. Ученые из Филадельфии (штат Пенсильвания) предсказали, а их коллеги из UC Berkeley установили экспериментально, что переключение сверху налево и затем слева вниз происходит значительно быстрее, чем непосредственное «переворачивание» атома.

В экспериментах с тонкой пленкой титаната цирконата свинца они показали, что прикладывая электрическое поле непараллельно вертикальной оси можно изменить траекторию переориентации поляризации ферроэлектрика. Замеченный эффект можно дополнительно усилить, подвергая пленку упругим деформациям, скорость перекоммутации при этом увеличивается по меньшей мере вдвое.

«Мы исследовали лишь один материал из сотен возможных, и вполне вероятно, что можно будет получить еще более значительный выигрыш скорости, оптимизируя другие переменные, в том числе толщину пленки», — полагает Мартин, говоря о перспективах дальнейших работ.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Ukraine

 

  •  Home  •  Ринок  •  IТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Мережі  •  Безпека  •  Наука  •  IoT