>Оперативная память

По мнению экспертов DRAMeXchange, маловероятно, что выход Windows 7 повысит спрос на ПК в 2009 г. по двум причинам: во-первых, компании урезают траты на ИТ, а во-вторых, до приобретения системой стабильности с момента выпуска обычно проходит около года.

Компания Samsung считает, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно составит всего год. К концу 2009 г. компания планирует применять 40-нанометровую технологию и в массовом производстве 2-гигабитных устройств DDR3.

Компания Kingston Technology, ведущий мировой независимый производитель устройств хранения данных, объявила о том, что в 2008 г. общий объем продаж устройств хранения данных увеличился на 41% по сравнению с показателями за 2007 г.

Компания обнародовала данный прогноз, принимая во внимание ухудшающиеся экономические условия и спад в полупроводниковой индустрии. Предполагается, что снижение издержек на капитальное оборудование продолжится вплоть до вероятного начала стабилизации рынка в 2010 г.

Фирма Rambus сообщила, что достигнута принципиальная договоренность с Hynix Semiconductor в отношении обязательной лицензии на SDR SDRAM и DDR SDRAM. Размеры отчислений продаж с 31 января 2009 г. по 18 апреля 2010 г. составят 1% для устройств SDR и 4,25% для DDR. Второй тариф применим к памяти DDR, DDR2, DDR3, GDDR, GDDR2 и GDDR3 SDRAM.

По информации DigiTimes, крупнейший конгломерат нефтехимического бизнеса Тайваня Formosa Plastics Group, дочерними компаниями которого являются Nanya Technology и Inotera Memories, заверил правительство Тайваня в том, что Micron Technology предоставит свыше 2,5 тыс. патентов контролируемой государством фирме Taiwan Memory.

На International Solid-State Circuit Conference (ISSCC) 2009 корпорация NEC сообщила подробности о созданной ею новой архитектуре памяти (chip-stacked flexible memory), которая может быть использована в SoC. Она предусматривает очень плотное размещение логических цепей и памяти благодаря применению трехмерной упаковки чипов.

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска чипов GDDR5 с использованием 50-нанометрового техпроцесса. Новые микросхемы будут применяться в качестве графической памяти в ПК, видеокартах и игровых консолях.

Согласно ожиданиям DRAMeXchange, объем выпуска пластин для чипов DRAM за I квартал 2009 г. снизится до 1 млн штук, при этом вклад тайваньских производителей динамической памяти в эту сумму составит 260 тыс. пластин.

Toshiba анонсировала прототип FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) демонстрирующий рекордные характеристики для энергонезавиимой памяти. Новый чип имеет емкость 128 Мб и максимальную скорость чтения-записи 1,6 Гб/с.