|
СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ
Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях
Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.
Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары
|
|
>Флэш-карты
Новость
13 мая 2009 г., 11:31
Компании Hynix Semiconductor, Numonyx и Phison Electronics подписали соглашение о совместной разработке контроллеров для нового поколения решений NAND, основанных на спецификации JEDEC eMMC 4.4.
Новость
12 мая 2009 г., 16:52
Samsung Electronics анонсировала начало поставок 32-гигабайтовой moviNAND, изготовляемой по 32-нанометровой технологии.
Новость
28 апреля 2009 г., 13:18
Компания Toshiba объявила о начале поставок первой в мире флэш-памяти NAND с использованием 32-нанометрового техпроцесса. В данный момент производятся образцы чипов объемом 32 Гб, а 16-гигабитные продукты (наиболее ходовой размер на рынке) будут доступны в Японии в июле.
Новость
16 марта 2009 г., 11:24
Компания Kingston Technology, ведущий мировой независимый производитель устройств хранения данных, объявила о том, что в 2008 г. общий объем продаж устройств хранения данных увеличился на 41% по сравнению с показателями за 2007 г.
Новость
4 марта 2009 г., 13:37
К 2010 г. почти 70% выпускаемых мобильных телефонов будут оснащены слотом для карт памяти. При этом данное расширение зачастую негативно влияет на размеры аппарата.
Новость
23 февраля 2009 г., 15:14
Компания Kingston Digital объявила о выпуске карт памяти microSDHC объемом 16ГБ, предназначенных для использования в мобильных телефонах.
Новость
11 февраля 2009 г., 17:28
На международной конференции International Solid-State Circuits Conference, которая сейчас проходит в Сан-Франциско, компании SanDisk и Toshiba представили новую технологию флэш-памяти, благодаря которой емкость карт microSD может быть увеличена до 32 ГБ.
Новость
10 февраля 2009 г., 12:45
Компания Numonyx объявила о выпуске первых в индустрии образцов чипов флэш-памяти NOR MLC седьмого поколения, произведенных с применением техпроцесса с уровнем детализации 45 нм. Разработка обладает высоким уровнем производительности и надежности и, предположительно, будет применяться в составе мобильных телефонов.
Новость
9 февраля 2009 г., 17:37
Toshiba анонсировала прототип FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) демонстрирующий рекордные характеристики для энергонезавиимой памяти. Новый чип имеет емкость 128 Мб и максимальную скорость чтения-записи 1,6 Гб/с.
Новость
9 февраля 2009 г., 16:18
Недавние меры по сокращению производства, предпринятые несколькими чипмейкерами, по данным DRAMeXchange, привели к резкому уменьшению предложения флэшпамяти NAND на рынке готовой продукции и побудили отдельных заказчиков заключить крупные контракты на поставку с Samsung.
|
|

|