Samsung презентувала концепцію 3D-пам'яті нового покоління із понад 400 шарами

Samsung Electronics представила концептуальне бачення та нові розробки у сфері 3D-архітектури пам'яті на виставці Future of Memory and Storage 2026 у Санта-Кларі, Каліфорнія. 

 

Ключовою подією виступу топменеджерів компанії Чжін-Юб Лі (Jin-Yub Lee) та Кьонрюн Кіма (Kyungryun Kim) стала презентація концептів zHBM і zNAND-O, а також першої в галузі структури V10 BV-NAND, що налічує понад 400 шарів.

 

Головною інновацією стала концепція zHBM, створена для прискорення обчислень штучного інтелекту. На відміну від традиційного розміщення чипів поруч із процесором, збірка zHBM передбачає вертикальне встановлення блоків пам'яті безпосередньо над AI-прискорювачем. Використання новітніх технологій з'єднання кремнієвих пластин дозволяє досягти 8-разового зростання продуктивності порівняно з майбутньою HBM5, збільшити щільність пам'яті у 10 разів та підвищити енергоефективність утричі при скороченні теплового опору більш ніж удвічі.

 

Разом із цим Samsung презентувала технологію V10 BV-NAND (Bonding V-NAND). Завдяки прямому з'єднанню пластин із комірками пам'яті щільність зберігання даних зросла приблизно на 58% порівняно з попереднім поколінням V9. Паралельно компанія показала зразки новітньої пам'яті HBM4E, мобільні модулі LPDDR5X-PIM із підтримкою внутрішньопам'ятних обчислень (Processing-in-Memory) та корпоративні накопичувачі PM1763 і BM1773 для дата-центрів.

 

Поява структури V10 BV-NAND з понад 400 шарами підтверджує, що технологія гібридного з'єднання пластин (wafer bonding) стає новим стандартом у виробництві енергонезалежної пам'яті. Утримання лідерства в сегментах HBM4E та PIM дозволяє Samsung успішно конкурувати з SK hynix за контракти провідних розробників графічних процесорів. Водночас статус єдиного IDM-виробника дає компанії перевагу в реалізації комплексних рішень «під ключ» під конкретні потреби замовників.