В августовском IEEE Electron Device Letters, vol. 28, № 8, была опубликована статья сотрудников одной из исследовательских лабораторий Intel о существенных успехах в области построения устройств на сложных полупроводниках (в отличие от кремния, сложные полупроводники состоят из нескольких компонентов, например GaAs).