`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Новая технология получения диоксида кремния позволит удешевить производство чипов

0 
 
Инженеры университета Лондона предложили технологию использования ультрафиолета для получения слоя диоксида кремния при производстве полупроводниковых микросхем. Обычно для этого используется специальный отжиг.

Пленка диоксида кремния выступает в качестве подложки для нанесения литографическим способом проводящих дорожек и одновременно, как активный затвор слоя транзисторов. Диоксид образуется в процессе взаимодействия кислорода из воздуха с кремнием, однако этот процесс очень продолжительные и для его ускорения производители используют специальный отжиг при температуре 1000 градусов. Однако это процедура естественно не очень экологична, да и к тому же весьма энергозатратна.

Так вот ученые колледжа лондонского университета предложили использование специальной процедуры на основе ультрафиолетового облучения в специальном спектре. Она проводится практически при комнатной температуры, не требует больших затрат энергии, а следовательно дешева и к тому же не загрязняет окружающую среду.

Сообщается, что уже ведутся переговоры с несколькими производителям полупроводников и новая технология будет внедрена в ближайшие несколько лет.

26 ноября — не пропустите Dell Technologies Forum EMEA!

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Slack подает жалобу на Microsoft и требует антимонопольного расследования от ЕС

 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT