SK Hynix сообщила о завершении разработки памяти DDR4 DRAM емкостью 8 Гб класса 1Ynm (техпроцесс от 14 нм до 16 нм). Как сообщается, чип обеспечивает 20% повышение производительности по сравнению с предыдущим поколением 1Xnm (16-19 нм), а также более чем 15% снижение потребления энергии.
Новая память поддерживает скорость передачи данных до 3200 Мб/с. SK Hynix использовала схему четырехфазной синхронизации для повышения скорости и стабильности передачи данных.
Технология Sense Amp. Control используется для снижения энергопотребления и коррекции ошибок. С ее помощью SK Hynix улучшила структуру транзисторов, чтобы снизить вероятность ошибок, которые возникают из-за уменьшения их размеров. Компания также использует в микросхемах источники питания с низким энергопотреблением.
SK Hynix планирует начать поставки новой памяти в первом квартале следующего года. Первая память по техпроцессу 1Ynm будет предназначаться для серверов и ПК, а затем и для других областей, таких как мобильные устройства.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
0 |