TSMC представила 28-нм технологическую платформу для производства 64Mб SRAM

Крупнейший мировой контрактный производитель интегральных микросхем, тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о создании 28-нм техпроцесса с применением технологий металлических затворов с высоким коэффициентом диэлектрической составляющей (HKMG), где в качестве диэлектрика используется оксинитрид кремния (SiON). Разработка была представлена на проходящем в Киото (Япония) симпозиуме 2009 Symposia on VLSI Technology.

В докладе сообщается, что новый техпроцесс для 64Mб SRAM обеспечивает размер ячейки 0,127 мкм² и плотность затворов 3,9 млн на мм². За счет применения технологий деформации и оптимизации толщины слоя SiON удается достичь повышения скорости на 25–40% и снижения энергозатрат на 30–50% по сравнению с 45-нм процессом производства.

Компания TSMC планирует начать серийный выпуск микросхем по 28-нм техпроцессу уже в начале 2010 г.