| +11 голос |
|
На проходящей в г.Тампа (штат Флорида) 52-й ежегодной конференции по магнетизму и магнитным материалам (Magnetism and Magnetic Materials Conference) корпорация Toshiba объявила о разработке ключевых технологий магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) и анонсировала произведенное с их помощью запоминающее устройство.
MRAM хранит данные при помощи магнитного, а не электрического заряда, и сохраняет информацию после отключения электропитания, обеспечивая высокую скорость чтения-записи при низком энергопотреблении.
Специалисты Toshiba применили технологии перпендикулярной магнитной анизотропии (PMA) и вращательно перемещающего переключения (spin transfer switching) для магнитного туннельного перехода, который является ключевым компонентом ячейки памяти. Вращательно перемещающее переключение использует спин электрона для инвертирования магнитного заряда. PMA – технология перпендикулярной записи – широко используется для производства высокоемких жестких дисков, и ученые успешно адаптировали ее для полупроводниковых устройств памяти, оптимизировав материалы и структуру новых MRAM.
Разработка новых технологий MRAM частично спонсировалась грантом японской Организации по развитию новых энергоресурсов и промышленных технологий (New Energy and Industrial Technology Development Organization, NEDO).
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
