Samsung анонсировала высокоплотную память для мобильных устройств

13 январь, 2010 - 09:45

Samsung Electronics вчера представила два запоминающих устройства, использующих разработанные компанией чипы NAND емкостью 32 Гб с уровнем детализации 30 нм. Модуль moviNAND вмещает 64 ГБ данных, он имеет толщину 1,4 мм и состоит из 16 микросхем MLC NAND и контроллера. Карта microSD номиналом 32 ГБ (вдвое больше, чем выпускавшиеся до сих пор) собрана из восьми чипов по 32 Гб и микросхемы-контроллера. Ее толщина не превосходит 1 мм.

Samsung анонсировала высокоплотную память для мобильных устройств

Массовый выпуск 64 ГБ moviNAND уже начался в прошлом месяце, а 32 ГБ microSD пока доступны в виде оценочных образцов, а в серию должны пойти в феврале.

По прогнозам iSuppli, глобальный рынок NAND емкостью 32 ГБ и более достинет значения в 530 млн шт. в 2010 г. и 9,5 млрд – в 2013 г.