`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Тимур Ягофаров

Битва за NVM разгорается

+33
голоса

Термин NVM еще не устоялся, поэтому стоит сразу же объяснить, что под NVM в данном случае понимается технология замены оперативной памяти на базе DRAM на энергонезависимую с аналогичной производительностью.

Большая волна интереса к самой возможности такой замены была поднята летом 2015 года, когда Intel и Micron объявили о планах выпуска своего решения 3D XPoint. По предварительным оценкам, скорость работы новой памяти должна быть несколько ниже, чем у DRAM, но гораздо выше NAND. А стоимость будет находиться между этими типами чипов. И сразу же пошли активные разговоры о появлении нового типа архитектуры компьютеров, в которых оперативная и долговременная память будут объединены.

Признаться, меня с самого начала волновало, какой же именно технологией воспользовались при создании 3D XPoint. Официального комментария по данному вопросу как не было, так и до сих пор нет. А представители Intel и Micron объясняют свое молчание желанием защититься от конкурентов, от которых удалось серьезно оторваться. Но как выяснилось на днях, отрыв этот не так уж и велик. Дело в том, что компания Everspin объявила о выпуске микросхем памяти типа MRAM с рекордной плотностью 256 Мбит. По заявлению производителя, их скоростные характеристики в 100 тыс. раз превосходят NAND, причем работают они напрямую с интерфейсами DDR3/DDR4 DRAM. А значит, вполне могут конкурировать с предложением Intel/Micron. Вопрос лишь в цене. В анонсе Everspin ничего не говорится о стоимости таких чипов в сравнении с традиционной DRAM, но сообщается, что их выпуск налажен на линии GLOBALFOUNDRIES с использованием заготовок диаметром 300 мм.

Битва за NVM разгорается

До недавнего времени главным недостатком MRAM была низкая плотность размещения, что связано с необходимостью использовать достаточно большие ячейки. Технология MRAM базируется на хранении не электрического заряда, как в NAND, а магнитных характеристик. Структура ячейки включает два намагничиваемых элемента, разделенные диэлектриком. Один из них с постоянным намагничиванием, а характеристики второго меняются. В результате, направление его намагниченности меняется, а это в свою очередь определяет электрическое сопротивление ячейки. Оно и измеряется при считывании. Понятно, что без специальных мер было невозможно уменьшать размер ячеек MRAM, так как начинало сказываться их взаимное влияние. Прорывом в данной области стало использование технологии переноса спинового момента (spin torque transfer, STT) или переключение с помощью переноса спина. В этом случае используют электроны с заданным состоянием спина («поляризованные»), прямо вращая области. Для STT возможно уменьшение технологического допуска менее 65 нм.

Однако в Everspin пошли еще дальше, применив технологию перпендикулярного магнитного туннельного перехода (pMTJ, perpendicular magnetic tunnel junction). Это значительно увеличит плотность, что позволит выпустить чип на 1 Гбит. И если чипы на 256 Мбит уже доступны в качестве тестовых образцов, то гигабитные должны появиться позже в этом году. А это уже серьезная заявка на появление в составе массовых компьютерных платформ. Впрочем, Everspin заявляет о том, что уже располагает массой клиентов, которым уже успела поставить свыше 60 млн решений на базе технологии MRAM. Они используются в дата-центрах, облачных хранилищах, в энергетике, промышленности, транспорте и в потребительских товарах. О выдающейся надежности MRAM говорит и тот факт, что эти чипы применяли в космической отрасли. А один из наиболее заметных свежих примеров использования чипов ST-MRAM — демонстрация IBM ее платформы ConTutto архитектуры Power8, где данная технология впервые была показана в сервере уровня предприятия. Штука ли, модуль памяти с интерфейсом DDR3 работал в качестве энергонезависимой памяти.

Как видим, активность вокруг NVM нарастает, тем интереснее будет наблюдать за развитием событий. Все же стоимость играет далеко не последнюю роль, и когда появятся коммерческие продукты на базе обеих технологий, рынок быстро решит в пользу какой из них проголосовать кошельком.

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT