|
В продаже с 31 августа Применяются ли на Вашем предприятии технологии виртуализации серверов? |
>Оперативная памятьНовость Samsung укрепила позиции на рынке DRAM23 августа 2010 г., 11:29Агрессивное инвестирование Samsung Electronics в более совершенные технологические процессы, по мнению iSuppli, принесло закономерный результат во II квартале 2010 г. позволив компании превзойти конкурентов по объему производства и упрочить лидерство на глобальном рынке DRAM.
Новость Kingston выпустила модули памяти с системой водяного охлаждения2 августа 2010 г., 11:55Kingston расширила модельный ряд модулей памяти стандарта DDR3 и выпустила оригинальные устройства, для охлаждения чипов, в которых применяется система водяного охлаждения. Новинки доступны в виде двух- и трехканальных комплектов. Они представлены в рамках серии HyperX H2O.
Новость Samsung применила в производстве чипов «зеленой» DDR3 техпроцесс 30 нм22 июля 2010 г., 9:55Компания Samsung Electronics первой в мире начала массовое производство 2-гигабитных чипов Green DDR3 с применением 30-нанометровых технологических норм.
Новость Производители DRAM наращивают капиталовложения2 июля 2010 г., 11:53По оценкам аналитиков DRAMeXchange, учитывая массовый переход производителей памяти DRAM на технологические процессы с детализацией 4х нм, уже в финальной четверти текущего года стоимость чипов может снизиться, а по итогам 2011 г. цены сократятся на 30% в годовом сравнении.
Новость Модуль DDR3 32 ГБ от Samsung увеличит производительность серверов на 70%29 июня 2010 г., 13:35Новый LRDIMM (load-reduced, dual-inline memory module), разработанный Samsung Electronics для виртуализации, облачных вычислений и прочих серверных приложений, использует чипы DDR3 емкостью 4 Гб, изготовляемые по передовой технологии с уровнем детализации класса 40 нм.
Новость Elpida завершила разработку чипа GDDR5 2 Гб25 июня 2010 г., 12:15Японская компания Elpida Memory объявила о завершении разработки высокоплотного скоростного чипа GDDR5 2 Гб с низким энергопотреблением и использованием 50-нанометрового техпроцесса и медных соединений.
Новость Дефицит флэш-памяти NOR достиг 20%21 июня 2010 г., 13:00Президент тайваньской Winbond Electronics Тун-и Чань (Tung-Yi Chan) сообщил, что, по его данным, в настоящее время примерно 20% спроса на флэш-память типа NOR остаются неудовлетворенными. Цены на такие микросхемы продолжат расти в течение III квартала, однако, в отношении последней четверти года у него более оптимистичные прогнозы.
Новость Технология Fujitsu увеличивает плотность MRAM18 июня 2010 г., 11:10Fujitsu Laboratories объявила о разработке новой схемы ячейки для памяти MRAM с передачей спинового момента (spin-torque-transfer), которая изменяет привычный порядок магнитного туннельного перехода и благодаря этому позволяет уменьшить площадь ячейки на 60% и достичь более высокой степени интеграции.
Новость Производители DRAM ускоренными темпами внедряют новые техпроцессы15 июня 2010 г., 10:35Nanya Technology обнародовала планы начать пилотный выпуск 12-дюймовых заготовок с уровнем детализации 42 нм уже в июне, а не в III квартале, как предполагала ранее.
Новость Kingmax применила в DRAM «невидимую» систему охлаждения7 июня 2010 г., 12:25Этот известный производитель модулей памяти анонсировал DDR3 2400MHz с технологией Nano Thermal Dissipation. Визуально этот модуль емкостью 4 ГБ отличается от аналогов полным отсутствием радиаторов и прочих средств отвода тепла, что делает его компактнее и легче.
|
Последние обсужденияТОП-новостиТОП-статьи |
© 1998—2010 «Компьютерное Обозрение»,
Издательский дом ITC Publishing.
Адрес редакции и издателя: 04655, Киев, ул. Старокиевская, 10-г, бизнес-центр "Vector" (въезд со стороны ул. Гали Тимофеевой).
Телефоны: секретариат –
Пользовательское соглашение | Соглашение о конфиденциальности
Если вы заметили ошибку на сайте, выделите необходимый текст мышью и нажмите Ctrl+Enter.
Редакция получит ваше уведомление, спасибо.
