Впервые изучено влияние нанодеформаций на органические транзисторы

В статье для журнала Nature Communications, сотрудники Массачусетского университета в Амхерсте (UMass Amherst) представили итоги исследований влияния микродеформаций на электрические характеристики монокристаллических полупроводников на углеродной основе. В нем они первыми применили неоднородные деформации к проводящему каналу органического транзистора и смогли интерпретировать результаты наблюдений.

В противоположность мнению, что монокристаллы слишком хрупки для применения в гибкой электронике, коллектив UMass Amherst установил, что кристаллы органического полупроводника рубрена толщиной от 150 нм до 1 мкм выдерживают сминание, а значит их можно наносить на любую эластичную основу.

Аналитическая модель, разработанная авторами на основе теории пластин, позволила дать количественную оценку различных локальных напряжений, возникающих в структуре транзистора при складчатой деформации. Используя эту модель они также смогли спрогнозировать, как различные деформации модулируют мобильность зарядов — никто прежде этого не делал.

Новая работа вносит важный вклад в понимание связей между структурой и функциями органических полупроводников, критически необходимый для разработки следующего поколения гибких электронных устройств.