| 0 |
|
Сотрудники университета штата Северная Каролина сообщили о первом в мире удачном опыте по интеграции кристалла феррита висмута (BFO) в кремниевый чип. Это достижение создает предпосылки для разработки нового поколения многофункциональных, интеллектуальных устройств.
BFO обладает как феррромагнитными, так и ферроэлектрическими свойствами. Это означает, что его можно намагничивать, пропуская электрический ток. Такие качества делают этот материал перспективным для применения в новых типах магнитных запоминающих устройств, «умных» сенсорах и в технологиях спинтроники.
Интеграция кристалла BFO в кремниевую подложку позволяет использовать этот материал более эффективно, поскольку ограничивает утечку из него электрического заряда.
Исследователи также установили, что переключать полярность магнитного поля BFO можно, прикладывая разность потенциалов не более 4 В, что сравнимо с уровнями напряжения, используемыми в современных интегральных микросхемах. Это имеет большое практическое значение, так как более высокие напряжения и интенсивности полей приводили бы к увеличенному расходу энергии и могли вредить электронным функциям чипа.
«Эта работа означает, что мы можем приступить к разработке интеллектуальных устройств, которые способны воспринимать информацию, манипулировать ею и реагировать на нее более быстро, поскольку все это происходит в одном чипе — данные не нужно никуда перенаправлять», — комментирует доктор Джей Нарайан (Jay Narayan), один из авторов статьи в Nano Letters, описывающей это достижение.
Аналогичным образом, было показано, что полярность BFO может переключать внешнее магнитное поле низкой интенсивности (300 эрстед). При этом внутри материала не происходит выделения тепла, что также будет иметь большое значение для ряда приложений.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
